Центр исследований и разработок
«Перспективные технологии в микроэлектронике»
Ученые Томского государственного университета сделали важный шаг в развитии отечественной фотоники и беспроводных технологий. Им удалось преодолеть ключевой недостаток одного из самых перспективных полупроводников – оксида галлия. Сотрудники Центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ создали ультрафиолетовый фотодетектор, быстродействие которого при Читать дальше …
Регистрация ультрафиолетового излучения необходима для исследования космоса, а также решения критически важных задач в области энергетики и промышленной безопасности. Однако большинство современных датчиков легко выводятся из строя внешними воздействиями. Молодой учёный Томского государственного университета Дмитрий Алмаев в рамках стартап-проекта создает Читать дальше …
Во вторник, 11 августа, в наукограде Кольцово (Новосибирская область) президент РФ Владимир Путин посетил Центр коллективного пользования «Сибирский кольцевой источник фотонов» (СКИФ). Президенту, в частности, рассказали о принципах работы и потенциале центра. – Большой вклад в реализацию этого масштабного проекта Читать дальше …
Магистрант радиофизического факультета Томского государственного университета Кирилл Чаштанов одновременно с обучением работает в Центре «Перспективные технологии в микроэлектронике» на базе ТГУ. Уже сейчас Кирилл решает сложные задачи на стыке физики, электроники, моделирования и участвует в создании сенсоров, которые используются в Читать дальше …
Сегодня российское приборостроение и наука нуждаются в детекторных модулях, созданных на основе российских компонентов. Прежде всего требуются специализированные интегральные микросхемы (чипы) и сенсоры. Совместную работу по решению этой задачи ведут несколько научных центров – Томский государственный университет, НИЦ «Курчатовский институт» – Читать дальше …
Томский государственный университет в рамках пилотного проекта запустит новую образовательную программу на стыке радиофизики, материаловедения и ИТ. Задача ТГУ – подготовка специалистов, необходимых для развития отечественной электроники. Именно она является ключом к технологическому суверенитету, поскольку собственные решения снижают зависимость от Читать дальше …
Ученые Томского государственного университета разработали уникальные спектральные сенсоры для источника синхротронного излучения «Сириус» в Бразилии, который считается одной из самых современных установок в мире. Сенсоры изготовлены на основе арсенида галлия, компенсированного хромом (HR-GaAs:Cr). Эта технология превосходит аналоги и открывает новые Читать дальше …
Минобрнауки РФ. Ученые Томского государственного университета (ТГУ) исследовали поведение оксида галлия при разных температурах и под воздействием высоких электрических полей, что критически важно для разработки и внедрения детекторов на основе Ga2O3. Такие компоненты могут совершить настоящий переворот в силовой электронике, поскольку обладают Читать дальше …
Ведущие научные группы мира работают над созданием детекторов на основе оксида галлия (Ga2O3). Такие компоненты могут совершить настоящий переворот в силовой электронике, поскольку обладают высокой мощностью, надежностью в экстремальных условиях, высокой чувствительностью и энергоэффективностью. Учёные Томского государственного университета исследовали поведение Читать дальше …
Ученые Центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» Томского государственного университета совместно с ООО «Финпроматом» создали и успешно внедрили на базе ТГУ новую технологию производства арсенид-галлиевых VGF HR-GaAs:Cr-структур. Материал является основой детекторов рентгеновских цветовых изображений, применяемых в промышленности, медицине и науке. Это Читать дальше …